美國加州時(shí)間3月19日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告(300mm Fab Outlook Report to 2027)》。報(bào)告指出，受內(nèi)存市場復(fù)蘇以及高效能運(yùn)算和汽車應(yīng)用需求增長的推動(dòng)，全球前端設(shè)施所使用的300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將在2025年首次突破1000億美元，并有望在2027年達(dá)到歷史新高1370億美元。

2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備投資將增長20%至1165億美元，2026年增長12%至1305億美元，將在2027年創(chuàng)下歷史新高。此外，報(bào)告中列出了全球405座設(shè)施和生產(chǎn)線，包括預(yù)計(jì)將在未來四年內(nèi)開始營運(yùn)的75座設(shè)施。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha指出，“未來幾年內(nèi)300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)估將呈現(xiàn)大幅成長，反映出市場確實(shí)需要這樣的生產(chǎn)能力，以滿足不同市場對電子產(chǎn)品的成長需求，以及人工智能創(chuàng)新帶來的新一波應(yīng)用浪潮。最新的SEMI報(bào)告也特別指出，政府增加半導(dǎo)體制造投資對于促進(jìn)全球經(jīng)濟(jì)和安全的重要性。這股趨勢預(yù)計(jì)將有助于縮小各個(gè)地區(qū)間的設(shè)備支出差距。

區(qū)域展望

報(bào)告顯示中國大陸在政府激勵(lì)措施和芯片國產(chǎn)化政策的推動(dòng)下，將繼續(xù)引領(lǐng)晶圓廠設(shè)備支出，未來四年將保持每年300億美元以上的投資規(guī)模。

受惠于高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用帶動(dòng)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)擴(kuò)張和內(nèi)存市場復(fù)蘇，中國臺灣、韓國廠商也在加快設(shè)備投資，中國臺灣設(shè)備支出將從2023年的203億美元增至2027年的280億美元，排名第二;韓國預(yù)計(jì)將從2024年的195億美元增至2027年的263億美元，位居第三。

美洲300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將翻一倍，從2024年的120億美元增至2027年的247億美元;日本、歐洲及中東、東南亞的設(shè)備支出，預(yù)計(jì)將在2027年分別達(dá)到114億美元、112億美元和53億美元。

領(lǐng)域展望

在細(xì)分領(lǐng)域方面，SEMI預(yù)期，今年晶圓代工領(lǐng)域的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將下降4%，降至566億美元，部分原因是成熟節(jié)點(diǎn)(>10nm)投資放緩，為滿足市場對生成式AI、汽車和智能邊緣裝置的需求，此領(lǐng)域仍保持最高的成長率，設(shè)備支出從2023年到2027年預(yù)計(jì)將帶來7.6%年復(fù)合成長率(CAGR)達(dá)到791億美元。

由于人工智能(AI)服務(wù)器對數(shù)據(jù)吞吐量的需求增加，推動(dòng)高帶寬內(nèi)存(HBM)等存儲芯片的強(qiáng)勁需求，將刺激該領(lǐng)域投資增加，該領(lǐng)域在所有領(lǐng)域中排名第二。DRAM設(shè)備支出預(yù)計(jì)將在2027年提高到252億美元，年復(fù)合成長率為17.4%;而3D NAND的投資預(yù)計(jì)將在2027年達(dá)到168億美元，年復(fù)合成長率為29%。

此外，SEMI預(yù)計(jì)到2027年模擬芯片(Analog)、微型(Micro)、光電(Opto)和分離(Discrete)器件領(lǐng)域設(shè)備投資將分別增加55億美元、43億美元、23億美元和16億美元。

300mm晶圓在生產(chǎn)效率、成本降低和高端應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展方面具有優(yōu)勢，市場需求強(qiáng)勁。預(yù)計(jì)到2026年，需求將達(dá)到每月1000萬片。由于晶圓生產(chǎn)廠產(chǎn)能擴(kuò)張周期長，預(yù)計(jì)近幾年供需缺口將會持續(xù)存在。